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    Memoria Flash 3D: novità all’avanguardia da KIOXIA e Sandisk

    By Redazione Top Trade20/02/20253 Mins Read
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    Le due aziende presentano la tecnologia di memoria flash 3D di 10a generazione che raggiunge una velocità di interfaccia NAND di 4,8 Gb/s

    Memoria-Flash-3D

    KIOXIA Corporation e Sandisk Corporation hanno introdotto una tecnologia di memoria flash 3D all’avanguardia, stabilendo il punto di riferimento del settore con una velocità di interfaccia NAND di 4,8 Gb/s, un’efficienza energetica superiore e una maggiore densità.

    Presentata all’ISSCC 2025, la nuova innovazione della memoria flash 3D, insieme alla rivoluzionaria tecnologia CBA (CMOS directly Bonded to Array) dell’azienda, incorpora uno dei più recenti standard di interfaccia, Toggle DDR6.0 per la memoria flash NAND e sfrutta il protocollo SCA (Separate Command Address), un nuovo metodo di input dell’indirizzo di comando della sua interfaccia, e la tecnologia PI-LTT (Power Isolated Low-Tapped Termination), fondamentale per ridurre ulteriormente il consumo di energia.

    Una partnership vincente per la memoria flash 3D di nuova generazione

    Sfruttando questa esclusiva tecnologia ad alta velocità, le aziende prevedono che la nuova memoria flash 3D consenta di ottenere un miglioramento del 33% della velocità dell’interfaccia NAND rispetto alla memoria flash 3D di ottava generazione attualmente in produzione di massa, raggiungendo una velocità di interfaccia di 4,8 Gb/s. La tecnologia è inoltre in grado di fornire una maggiore efficienza energetica dell’input/output dei dati, riducendo il consumo energetico del 10% per l’input e del 34% per l’output, riuscendo a raggiungere così un equilibrio tra alte prestazioni e basso consumo energetico. Presentando in anteprima la memoria flash 3D di 10a generazione, le aziende hanno spiegato che aumentando il numero di strati di memoria a 332 e ottimizzando la planimetria per una maggiore densità planare, la tecnologia migliora la densità di bit del 59%.

    KIOXIA e Sandisk hanno anche condiviso i piani per l’imminente memoria flash 3D di 9a generazione. Grazie alla loro esclusiva tecnologia CBA, le aziende possono combinare la nuova tecnologia CMOS con una tecnologia di celle di memoria esistente per fornire prodotti efficienti in termini di capitale, ad alte prestazioni e a basso consumo. Entrambe le aziende rimangono impegnate nello sviluppo di tecnologie di memoria flash all’avanguardia, offrendo soluzioni su misura per soddisfare le esigenze dei clienti e contribuendo al progresso della società digitale.

    Dichiarazioni

    “Oltre alla domanda di una maggiore efficienza energetica nei data center, la generazione di dati è destinata ad aumentare notevolmente, trainata da nuove applicazioni basate sulla tecnologia dell’IA, con operazioni sofisticate come l’inferenza all’edge e l’applicazione di tecniche di transfer learning che aggravano ulteriormente i requisiti di archiviazione“, afferma Axel Stoermann, Vice President e Chief Technology Officer di KIOXIA Europe. “KIOXIA continua a gettare le basi a sostegno di questi requisiti di archiviazione del futuro: velocità più elevate, maggiore capacità e minor consumo energetico“.

    Alper Ilkbahar, SVP of Global Strategy and Technology di Sandisk, ha dichiarato: “Con l’avanzare dell’intelligenza artificiale, le esigenze dei clienti in termini di memoria stanno diventando sempre più diversificate. Attraverso la nostra innovazione tecnologica CBA, miriamo a lanciare prodotti che offrano il miglior abbinamento in termini di capacità, velocità, prestazioni ed efficienza del capitale per soddisfare i nostri clienti in tutti i segmenti di mercato“.

    Kioxia memoria flash 3D NAND SanDisk
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