La memoria flash con la maggiore densità al mondo è figlia dello sforzo congiunto di Micron Technology e Intel Corporation. La tecnologia che rende possibile tutto ciò si chiama NAND 3D e basa la propria innovazione sulla capace di posizionare le celle di archiviazione dei dati in verticale, con la massima precisione, creando dispositivi di storage con capacità tre volte superiore rispetto alle tecnologie NAND concorrenti. In questo modo, si rende disponibile più storage in meno spazio per un’ampia gamma di dispositivi portatili consumer, oltre che per installazioni aziendali più complesse, con un risparmio significativo sui costi, consumi più bassi e prestazioni più elevate.
La memoria flash NAND planare si sta avvicinando ai limiti praticabili delle dimensioni, presentando sfide significative per il settore delle memorie. La tecnologia NAND 3D è destinata ad esercitare un impatto notevole, mantenendo le soluzioni di storage flash allineate alla Legge di Moore, ossia il percorso per continuare ad incrementare le prestazioni e il risparmio dei costi, favorendone un’ampia diffusione.
“La collaborazione tra Micron e Intel ha portato allo sviluppo di una tecnologia di storage allo stato solido all’avanguardia nel settore, che offre livelli di densità, prestazioni ed efficienza senza paragoni rispetto a qualsiasi altra tecnologia flash oggi disponibile” ha dichiarato Brian Shirley, Vice President of Memory Technology and Solutions di Micron Technology. “Questa tecnologia NAND 3D ha le potenzialità per segnare una svolta fondamentale nel mercato. La profondità dell’impatto che ha avuto finora la tecnologia flash, dagli smartphone ai supercomputer appositamente ottimizzati, ha solo scalfito la superficie delle attuali possibilità“.
Uno degli aspetti più significativi di questa tecnologia è proprio la cella di memoria di base. Intel e Micron hanno scelto, primi al mondo, di utilizzare una cella floating gate e un design universalmente utilizzato e perfezionato dopo anni di produzione in grandi volumi di memoria flash planare. L’architettura NAND 3D posiziona le celle flash in 32 livelli verticali per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb che rientrano in un package standard. Queste capacità rendono possibili unità SSD delle dimensioni di una gomma da masticare con oltre 3,5 TB di storage e unità SSD standard da 2,5 pollici superiori a 10 TB. Poiché la capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi. In questo modo si prevede di ottenere un aumento sia delle prestazioni che dell’efficienza, rendendo anche le architetture TLC adatte per lo storage dei data center.
Ecco in sintesi le principali caratteristiche dell’architettura NAND 3D:
• Ampia capacità: tre volte superiore rispetto all’attuale tecnologia 3D, fino a 48 GB di NAND per die, consentendo di inserire tre quarti di terabyte in un singolo package delle dimensioni di un polpastrello,
• Costo per GB ridotto: la prima generazione di NAND 3D è progettata per offrire maggiori efficienze dei costi rispetto alla NAND planare,
• Velocità: ampia larghezza di banda in lettura/scrittura, velocità di I/O e prestazioni in lettura casuale,
• Ecosostenibilità: le nuove modalità sleep riducono l’alimentazione del die NAND inattivo (anche quando l’altro die nello stesso package è attivo), con una riduzione significativa del consumo energetico in modalità standby,
• Innovazione: le nuove caratteristiche all’avanguardia migliorano la latenza e la resistenza rispetto alle precedenti generazioni, semplificando inoltre l’integrazione dei sistemi.
